硅通孔技術
硅通孔技術(TSV,Through -Silicon-Via)是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通,實現芯片之間互連的最新技術。與以往的IC封裝鍵合和使用凸點的疊加技術不同,TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大,外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。TSV是2.5D和3D封裝的關鍵技術。
華天科技(昆山)分公司可以提供成熟可量產的TSV工藝,一種為深徑比為1:1的TSV工藝;一種為深徑比高于3:1的TSV工藝。
該技術可以為客戶的產品帶來以下優勢:
1.低成本
2.高良率
3.高可靠性
4.減小芯片尺寸
主要的工藝流程如下:
主要參數指標:
Via Type |
Wafer size |
Via Diameter |
Via Depth |
Via angle |
Metal |
Resistence |
Reliability |
1:1 |
200mm |
60um |
60um |
65° |
Al/Ni/Au |
Solder mask |
MSL3 |
3:1 |
200mm |
30um |
100um |
90° |
Cu/Ni/Au |
Polymer or PECVD |
MSL1 |
華天集團相關網站
天水華天微電子股份有限公司
天水華天科技股份有限公司
華天科技(西安)有限公司